Especificaciones Técnicas:
- Tipo de Transistor: MOSFET
- Encapsulado: TO-220AB.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 100 V.
- Corriente de Drenaje Continua): 9.7 A.
- Resistencia en Conducción: 0.20
- Voltaje de Umbral de Compuerta: 2.0 V a 4.0 V.
- Potencia de Disipación Máxima: 48 W.
- Carga de Compuerta Total: 25 nC.
- Rango de Temperatura: -55°C a +175°C.
Función/Uso
- Conmutador electrónico de alta velocidad para cargas de potencia media.
- Control de motores DC y tiras LED mediante señales PWM de microcontroladores.