Especificaciones Técnicas:
- Tipo de Transistor: MOSFET
- Encapsulado: TO-220AB
- Voltaje Drenaje-Fuente: 100 V.
- Corriente de Drenaje Continua: 33 A
- Corriente de Drenaje Pulsada: 110 A.
- Resistencia en Conducción: 44 mΩ
- Voltaje de Umbral de Compuerta: 2.0 V a 4.0 V
- Potencia de Disipación Máxima: 130 W .
- Carga de Compuerta Total: 71 nC.
- Rango de Temperatura de Operación: -55°C a +175°C
Función/Uso
- Conmutación de alta potencia.
- Control de velocidad de motores (PWM) y fuentes conmutadas.