Especificaciones Técnicas:
Tipo de Transistor: NPN de silicio.
Encapsulado: TO-92. Voltaje Colector-Emisor): 40 V. Voltaje Colector-Base: 60 V. Voltaje Emisor-Base: 6 V. Corriente de Colector Continua: 200 mA. Potencia de Disipación Máxima: 625 mW. Ganancia de Corriente Continua: 100 a 300. Frecuencia de Transición: 300 MHz. Rango de Temperatura de Operación: -55°C a +150°C.
Función/Uso
- Ideal para circuitos de señales de alta velocidad y osciladores.
- Primeras etapas de amplificadores de audio y radiofrecuencia.